四中全会公报“科技自立自强”成为未来五年关键词,全球存储价格持续高增
- 研究报告内容
▌上周回顾
10月20日-10月24日当周,申万一级行业涨跌呈分化的态势。其中电子行业上涨8.49%,位列第2位。估值前三的行业为计算机、国防军工、电子,电子行业市盈率为73.28。电子行业细分板块比较,10月20日-10月24日当周,电子行业细分板块均呈上涨态势。其中,印制电路板涨幅最大,达到14.05%。估值方面,模拟芯片设计、LED、数字芯片设计板块估值水平位列前三,半导体材料和分立器件板块估值排名本周第四、五位。
▌第四季度存储价格持续上升,存储上升大周期已经来临
存储板块价格趋势持续超预期。据《韩国经济日报》报道,三星电子、SK海力士等主要内存供应商,将在今年第四季度继续向客户调整报价。幅度上,包括DRAM和NAND在内存储产品价格将上调高达30%,从而顺应AI驱动的存储芯片需求激增趋势。早在9月下旬,三星电子便已发出第四季度提价通知,当时的计划是将部分DRAM价格上调15%至30%,NAND闪存价格上调5%至10%。
全球AI高速增长的capex以及高性能的AI算力硬件的高速迭代对存储容量和性能提出了更高要求,进一步推动了市场对DDR5和NANDFlash等高性能存储产品的需求。根据CFM数据的监测,10月13日至10月18日期间,现货市场价格加速飙升。在DRAM方面,DDR516G、DDR416G和DDR34G的均价分别为10.343美金、24.167美金和2.72美金,相较上周分别上涨了20.59%、11.11%和6.12%,相较上月更是分别上涨了58.73%、43%和33.46%。在NANDFlash方面,大容量1Tb QLC、1Tb TLC、512Gb TLC和256Gb TLC的均价分别为6美金、6.7美金、4.2美金和3.4美金,相较上周分别上涨了17.6%、17.5%、20%和6.3%,相较上月则分别上涨了22.4%、21.8%、31.3%和13.3%。
此轮存储涨价大周期最核心还是来自供需关系的改变,本轮存储产品涨价始于海外大厂联合减产,削减供给所致,一方面,中国芯片公司的中低端存储芯片业务日益成熟,促使三星、SK海力士向更高端产品转型,以谋求更高毛利率。同时,人工智能高速发展,对新制程与高级别存储产品需求更旺盛,从2024年三季度开始,以盈利为主基调的存储原厂(美光、三星、SK海力士)就开始将部分利润率偏低的传统DRAM产能转至DDR5、HBM(高带宽存储器)等更高利润的产品,并逐步淘汰和减少DDR4及更老产品的生产。我们认为存储大周期已经来临,涨价趋势正在持续超预期,建议关注:兆易创新、澜起科技、德明利、江波龙、香农芯创、北京君正等。
▌二十届四中全会后,科技自立自强成未来五年关键词
中国共产党第二十届中央委员会第四次全体会议,于2025年10月20日至23日在北京举行。全会提出了“十五五”时期经济社会发展的主要目标,其中提到“科技自立自强水平大幅提高”。根据二十届四中全会公报内容,全会提出了“十五五”时期经济社会发展的主要目标:高质量发展取得显著成效,科技自立自强水平大幅提高,进一步全面深化改革取得新突破,社会文明程度明显提升,人民生活品质不断提高,美丽中国建设取得新的重大进展,国家安全屏障更加巩固。在此基础上再奋斗五年,到2035年实现我国经济实力、科技实力、国防实力、综合国力和国际影响力大幅跃升。
国际主流媒体重点关注公报提及的“加快高水平科技自立自强,引领发展新质生产力”这一部署,认为全面增强自主创新能力和科技实力,已成为中国未来发展的重点之一。还有外媒认为,中国希望能使经济免受外部压力的影响,同时打造可持续的增长引擎。美国消费者新闻与商业频道(CNBC)同样关注中国呼吁提高科技自主能力。报道认为,美国加大对中国获取先进技术的限制,相对应的,中国正加快发展速度。法国投资银行Natixis高级经济学家向美联社表示,与五年前的计划相比,中国正在深入推动科技自立自强。
我们认为,国内科技资产正在迅速增值,特别是核心的AI算力资产正在高速增值,其背后主要是来自于国内对于高端AI算力的投入已经逐渐产业化并且正在高速迭代过程中,国产AI芯片大时代已经来临,国产AI产业链从上游先进制程到先进封装,到下游字节阿里腾讯的模型加速迭代升级已经实现全产业链打通,我们坚定看好国产AI算力设施的加速突破,建议关注:寒武纪、海光信息、中科曙光、中芯国际、华虹公司、北方华创、中微公司、通富微电、甬矽电子等核心细分产业链。
▌风险提示
中美“关税战”加剧风险;中美科技竞争加剧风险;国产先进制程进度不及预期风险;国内AI模型大厂资本开支不及预期风险。
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